公示简要情况说明：

******学院）

二、进口产品公示编号：/

三、采购项目名称：动态高温高湿反偏测试系统

四、采购组织类型：分散采购-分散委托中介

五、采购项目概况：

标的名称：动态高温高湿反偏测试系统

预算金额(元)：******

数量：1

单位：套

货物或服务的说明:拟采购的动态高温高湿反偏测试系统是该系统通过模拟器件在高温高湿反偏可靠性进行评估,在实际应用中可能遇到的恶劣条件，加速暴露器件设计和制造过程中的潜在缺陷，不仅能够验证器件在长期稳定状态下的漏电流，还能发现IGBT边缘结构和钝化层的退化效应。

六、符合上述采购要求的进口产品产地、品牌（一家及以上）：

七、申请理由：

国外DH3TRB系统提供的测试条件更为精确和广泛。国内绝大部分厂家对DH3TRB研发多处于立项阶段，尚未满足测试标准的设备面世：而少数销售DH3TRB系统的厂家，其设备在漏电流检测精度、数据刷新速度、高压抑制电路等方面性能相比国外设备相差较大。并且国外设备支持测试的器件型号更多、工位更广，长期运行的稳定性也更高，设备具备更高的可靠性。

八、论证专业人员信息及意见：

专业人员对进口产品技术性能先进性、采购必要性的论证意见：

通过对拟采购设备的相关资料进行审核，并对申请单位进行咨询，认为该申请单位提出的进口产品采购理由充分。经过调研，该项目设备所需技术指标较高，需要购置进口设备来满足创新科研工作需要。

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展，越来越多的领域如航天、航空、石油勘探、核能、通信等，迫切需要能够在高温、高频等极端环境下工作的电子器件。由于SiCMOSFET在功率变换中常面临高压、高频、高温、高湿等复杂应力条件，其终端充放电效应，在开关性能明显优于Si器件的SiC器件中更为突出，为了验证终端的可靠性不会因器件导通和关断引起的电场强度持续变化而受到影响，有必要对SiCMOSFET在开关动态情况下的高温高湿反偏可靠性进行评估。因此，为了确保项目科研快速开展和学科教育的快速提升，配备动态高温高湿反偏测试系统有利于提升在国内同类高校中的基础研究水平和创新研究成果。详细意见见附件。

九、其它事项：

1、其他事项本项目公告期限为5个工作日，供应商对该项目拟采购进口产品及其理由和相关需求有异议的，可以在公示期限内（截止时间为本公示发布之日后的第6个工作日），以书面形式向采购人及监管部门提出异议。

2、其他事项：无

十、联系方式：

1.采购人信息

名******学院）

联系人：吕老师

联系电话：******

传真：/

地址：/浙江省杭州市余杭区瓶窑镇双红桥街166号

2.监督机构名称：北航国际创新研究院自行采购采购监管

联系人：刘老师

联系电话：0571-******

传真：/

地址：/

附件信息:

• 采购进口产品申请核准表.pdf

  626.8 KB

• 采购进口产品专家论证意见.pdf

  1.0 M

• 国内设备无法满足需求的具体指标.docx

  13.7 KB